이전 세대 대비 생산성 59% 상승
"AI 시대 고성능 낸드 개발 위해 지속 혁신" SK하이닉스가 세계 최초로 321단 4D 낸드 시제품을 공개했다. SK하이닉스는 개발에 이어 오는 2025년 상반기부터 321단 낸드를 양산하겠다는 계획도 밝혔다.
SK하이닉스는 8일(현지 시각) 미국 산타클라라에서 개막한 '플래시 메모리 서밋(Flash Memory Summit, FMS) 2023′에서 321단 1Tb(테라비트) 트리플 레벨셀(TLC·Triple Level Cell) 4D 낸드 개발 경과를 발표하고 개발 단계의 샘플을 전시했다.
낸드플래시는 한 개의 셀(Cell)에 몇 개의 정보(비트 단위)를 저장하느냐에 따라 SLC(Single Level Cell, 1개)-MLC(Multi Level Cell, 2개)-TLC(Triple Level Cell, 3개)-QLC(Quadruple Level Cell, 4개)-PLC(Penta Level Cell, 5개) 등으로 규격이 나뉜다. 정보 저장량이 늘어날수록 같은 면적에 더 많은 데이터를 저장할 수 있다.
메모리 업계에서 300단 이상 낸드의 구체적인 개발 경과를 공개한 것은 SK하이닉스가 처음이다.
SK하이닉스 관계자는 "양산중인 현존 최고층 238단 낸드를 통해 축적한 기술력을 바탕으로 321단 낸드 개발을 순조롭게 진행하고 있다"며 "적층 한계를 다시 한번 돌파해 300단대 낸드 시대를 열고 시장을 주도할 것"이라고 강조했다.
회사측은 "321단 1Tb TLC 낸드는 이전 세대인 238단 512Gb(기가비트) 대비 생산성이 59% 높아졌다"며 "데이터를 저장하는 셀을 더 높은 단수로 적층, 한 개의 칩으로 더 큰 용량을 구현할 수 있어 웨이퍼 한 장에서 생산할 수 있는 전체 용량이 늘었기 때문"이라고 설명했다.
고성능·고용량 수요 급증…300단 돌파하며 가능성 제시
최근 메모리 시장은 챗(Chat)GPT가 촉발한 생성형 AI 시장의 성장으로 더 많은 데이터를 더 빠르게 처리하고 저장하기 위한 고성능, 고용량 메모리 수요가 급격히 증가하고 있다.
이같은 상황에서 SK하이닉스의 321단 낸드 시제품은 3D 구조 낸드의 한계점으로 인식되어온 300단대를 돌파하며 새로운 가능성을 제시했다는 측면에서 큰 의미가 있다.
3D 낸드는 층수가 높아질수록 공정이 복잡해진다. 층수가 높아질수록 각 층 사이의 편차가 발생하게 되고 이 편차가 커지면 제품 성능도 떨어진다.
SK하이닉스는 이러한 수요에 최적화된 차세대 낸드 솔루션 제품인 PCIe 5세대(Gen5) 인터페이스를 적용한 기업용 SSD(Enterprise SSD, eSSD)와 UFS 4.0도 이번 행사에서 소개했다.
회사는 이 제품들이 업계 최고 수준의 성능을 확보해 고성능을 강조하는 고객들의 요구를 충분히 충족시킬 것으로 기대했다.
SK하이닉스 최정달 부사장(NAND개발담당)은 행사 기조연설에서 "4D 낸드 5세대 321단 제품을 개발해 낸드 기술리더십을 공고히 할 계획"이라며 "AI 시대가 요구하는 고성능, 고용량 낸드를 시장에 주도적으로 선보이며 혁신을 이끌어가겠다"고 말했다.
KPI뉴스 / 김윤경 기자 yoon@kpinews.kr
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