7일 삼성전자에 따르면 양산에 들어간 '1Tb TLC(Triple Level Cell) 8세대 V낸드'는 단위 면적당 저장되는 비트 밀도(Bit Density)가 업계 최고 수준인 고용량 제품이다. 웨이퍼당 비트 집적도도 이전 세대보다 대폭 향상됐다.
데이터 입출력 속도는 최신 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle(토글) DDR 5.0'이 적용돼 최대 2.4Gbps에 이른다. 7세대 V낸드와 비교하면 약 1.2배 향상됐다. 인테페이스 규격도 PCIe 4.0을 지원하며 앞으로 PCIe 5.0까지 확장된다.
삼성전자는 8세대 V낸드를 앞세워 차세대 엔터프라이즈 서버 시장의 고용량화를 주도하고 높은 신뢰성을 요구하는 자동차 시장까지 사업 영역을 넓혀나갈 계획이다.
삼성전자 메모리사업부 Flash(플래시) 개발실 허성회 부사장은 "시장의 고집적, 고용량에 대한 요구에 맞춰 3차원 스케일링(3D scaling) 기술로 셀의 평면적과 높이, 체적을 줄였다"며 "8세대 V낸드를 통해 시장의 수요를 만족시키고 차별화된 제품과 솔루션을 제공해 나갈 것"이라고 밝혔다.
앞서 삼성전자는 지난 8월 '플래시 메모리 서밋'과 10월 '삼성 테크 데이'에서 세계 최고 용량의 8세대 V낸드 양산 계획과 다양한 차세대 메모리 솔루션을 발표한 바 있다.
KPI뉴스 / 김윤경 기자 yoon@kpinews.kr
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