SK하이닉스가 작년 개발한 최신 낸드 플래시메모리 칩을 활용해 올해 5G 스마트폰용 저장장치와 기업용 SSD 제품 판매를 확대하기로 했다.
SK하이닉스는 이날 오전 경기 이천캠퍼스 영빈관에서 열린 제72기 정기 주주총회에서 원가경쟁력 강화와 자산효율화 등 불확실성에 대비해 나가겠다고 밝혔다.
SK하이닉스는 지난해 매출이 전년대비 33% 줄어 27조 원, 영업이익은 87% 하락해 2조7000억 원을 기록했다. 회사 측은 이에 대해 "작년 메모리 시장에서 수요 감소, 고객 재고 증가 등으로 가격이 급락하고 어려운 시황이 지속된 가운데 투자와 제품 생산을 조정해 대응했다"고 설명했다.
회사는 작년 연구개발비로 역대 최대 규모인 3조2000억 원을 썼다. 연구개발을 통해 작년 3세대 10나노급(10z ㎚) DDR4 D램, HBM2E D램, 128단 4D 낸드 1테라비트(Tb) 플래시메모리 등 제품을 개발했다. 이제 투자절감과 원가경쟁력을 확보했다고 보고, 연내 양산을 통해 제품 판매를 확대할 계획이다.
이석희 SK하이닉스 최고경영자(CEO)는 영업보고를 통해 "2019년 한 해 동안 SK하이닉스는 기술개발을 통한 사업 경쟁력 제고와 미래 성장을 위한 기반을 강화하는 데 주력했다"며 "미래 성장 기반을 다지기 위해 이천 'M16' 공장 건설과 용인 반도체 클러스터 구축도 계획대로 추진 중"이라고 말했다.
그는 이어 "작년에 개발한 D램과 낸드의 차세대 제품을 연내 본격적으로 생산하고 판매를 확대해 원가경쟁력을 제고하겠다"며 "고도화된 품질관리를 통해 고객을 만족시킬 수 있는 제품, 즉 1등 제품을 만들어, 그 시장을 확대해 나가도록 노력하겠다"고 덧붙였다.
3세대 10나노급 DDR4 D램은 16Gb 용량을 지원한다. HBM2E D램은 초당 3.7GB 용량을 처리하는 속도로 인공지능(AI)과 머신러닝 연산을 위한 슈퍼컴퓨터 시스템에 특화된 메모리 솔루션 시장을 겨냥하고 있다. 128단 4D 낸드 1Tb는 올해 상반기 고속·대용량 UFS 3.1 저장장치와 기업용 SSD 제품으로 출시된다.
KPI뉴스 / 임민철 기자 imc@kpinews.kr
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