차세대 반도체 전략 논의…시스템반도체 1위 ' 비전 2030' 가속 행보 "과거 실적이 미래 성공을 보장해 주지 않는다. 역사는 기다리는 것이 아니라 만들어가는 것이다. 잘못된 관행과 사고는 과감히 폐기하고 새로운 미래를 개척해 나가자."
이재용 삼성전자 부회장이 2일 경기도 화성사업장 반도체연구소를 방문해 차세대 반도체 전략을 논의하며 이같은 메시지를 내놨다. 이날 오전 그룹 차원에서 내부 준법경영 강화를 위한 '준법감시위원회' 구성을 예고한 데 이어, 사회적 책임을 이행하겠다는 의지를 드러낸 것으로 해석된다.
이 부회장은 현장에서 "과거 실적이 미래 성공을 보장해 주지 않는다"면서 "역사는 기다리는 것이 아니라 만들어가는 것"이라고 말했다. 그는 "잘못된 관행과 사고는 과감히 폐기하고 새로운 미래를 개척해 나가자"면서 "우리 이웃, 우리 사회와 같이 나누고 함께 성장하는 것이 우리의 사명이자 100년 기업에 이르는 길임을 명심하자"고 강조했다.
이 부회장은 더불어 새해 첫 경영 행보로 지난해 선언한 '반도체 비전 2030' 목표 실현에 무게를 실었다.
이날 이 부회장은 화성사업장 반도체연구소를 찾아 세계 최초로 개발한 3나노미터(10억분의 1미터) 공정기술을 보고받고 디바이스솔루션(DS) 사업부문 사장단과 차세대 반도체 전략을 논의했다. 삼성전자 측은 이 부회장의 새해 첫 행보에 대해, 메모리에 이어 시스템 반도체 분야 세계 1위가 되겠다는 비전을 임직원들과 공유한 것이라고 설명했다.
이 부회장은 현장에서 3나노미터 공정 기술을 보고받았다. 이는 차세대 반도체 공정 기술 '게이트 올 어라운드(Gate-All-Around, 이하 GAA)'가 적용된 기술이다. GAA는 기존 반도체 공정에서 미세화의 한계를 극복할 수 있는 수단으로 지난해 5월 소개됐다.
GAA를 적용한 3나노 반도체는 최근 공정 개발을 완료한 5나노 반도체 대비 칩 면적과 소비전력을 줄이면서 성능을 향상시킬 수 있다는 게 삼성전자 측 설명이다.
3나노미터 공정 기술은 삼성전자가 지난해 4월 내놓은 '반도체 비전 2030' 실현의 한 축을 맡을 것으로 기대된다.
당시 삼성전자는 오는 2030년까지 연평균 11조원의 R&D 및 시설투자 계획을 제시했다. 시스템 반도체 연구개발 인력 양성을 비롯한 국내 R&D 분야에 73조 원, 최첨단 생산 인프라 확충에 60조 원을 투입하기로 했다.
시스템 반도체 R&D 및 제조 전문인력 1만5000명 채용도 예고했다. 메모리 반도체 뿐아니라 시스템 반도체 분야 세계 1위 달성, 국내 시스템 반도체 생태계 경쟁력 강화 등을 목표로 삼았다.
KPI뉴스 / 임민철 기자 imc@kpinews.kr
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