차세대 전자·광학·양자소자 개발에 중요한 분석 기술로 활용 기대
포스텍 연구팀이 차세대 반도체 핵심 소재인 육방정계 질화붕소(hBN) 박막 내부에 존재하는 구조적 결함을 빛을 이용해 빠르고 정밀하게 식별할 수 있는 간섭 기반 이미징 분석 기술을 개발하는데 성공했다.
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| ▲ 포스텍 화학과 류순민 교수(왼쪽), 포스텍 통합과정 이예리 씨. [포스텍 제공] |
포스텍은 화학과 류순민 교수, 통합과정 이예리 씨 연구팀이 차세대 반도체 소재로 주목받는 육방정계 질화붕소(hBN) 박막 내부 숨은 구조 결함을 빛으로 식별할 수 있는 간섭 기반 SHG 이미징 분석법을 개발했다고 18일 밝혔다.
이번 연구 성과는 재료과학 분야 학술지 '어드밴스드 머티리얼즈'에 게재됐다.
차세대 전자기술 핵심 소재로 '2차원 반도체'가 주목받고 있다. 그중에서도 hBN은 전류 누설을 막는 절연 특성이 뛰어나 '2차원 소재의 보호막'으로 불린다.
문제는 hBN을 대면적으로 만들면 내부에서 결정 방향이 정반대인 영역인 '역평행 도메인'이 생겨난다.
그러나 기존 분석 장비로는 정밀한 관찰은 가능해도 넓은 면적을 빠르게 분석하기 어렵고 라만 분광은 시료를 파괴하지 않고 분석할 수 있지만 역평행 도메인을 직접 구별하기에는 한계가 있었다.
연구팀은 '2차 고조파 발생(SHG) 이미징' 기술에 주목했다. SHG는 특정 물질에 빛을 비췄을 때 원래 빛의 두 배 주파수를 가진 빛이 튀어나오는 현상이다.
연구팀은 여기에 외부 기준 신호를 더해 두 신호 사이의 위상 차를 정밀하게 분석했다. 그 결과, 눈으로 보기에는 같은 방향처럼 보이는 영역들 사이에서도 실제로는 SHG 위상이 정확히 180도 반대인 역평행 도메인이 널리 존재한다는 사실을 확인했다.
특히, 다양한 성장 조건으로 제작한 hBN 박막 10종을 비교 분석해 SHG 세기 차이가 단순 결정 방향 차이가 아니라 역평행 도메인 간 '상쇄 간섭'과 밀접하게 연결돼 있다는 점도 밝혀냈다.
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| ▲ 2차 고조파 이미징을 통해 대면적 hBN 박막 내 숨은 역평행 도메인과 위상 반전 특성을 식별하는 모식도. [포스텍 제공] |
서로 반대 방향의 신호가 만나 빛이 약해지는 현상을 통해 결정 구조 불균일성을 정량적으로 파악할 수 있게 된 것이다.
또한, SHG 세기와 라만 분광 데이터, 결정 방향 분산 등의 상관관계를 종합해 hBN의 결정성과 구조적 균일성을 평가할 수 있는 광학 기준도 제시했다.
이는 단순히 특정 결함을 찾아내는 수준을 넘어 대면적 2차원 소재의 품질을 빠르고 체계적으로 검사할 수 있는 길을 열었다는 의미가 있다.
류순민 교수는 "직접 확인하기 어려웠던 hBN 내부의 역평행 도메인을 광학적으로 식별할 수 있음을 보여준 성과"라며 "향후 이차원 물질의 성장 조건 최적화는 물론, 차세대 전자·광학·양자소자 개발에도 중요한 분석 기술로 활용될 수 있을 것"이라고 말했다.
KPI뉴스 / 장영태 기자 3678jyt@kpinews.kr
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