삼성전자는 3일 서울 강남구 그랜드 인터컨티넨탈 파르나스 호텔에서 '삼성 파운드리 포럼 2019 코리아'를 개최했다. 팹리스 고객과 파운드리 파트너 약 500명이 참석했다.
이날 행사에서 삼성전자는 최신 EUV(극자외선) 노광 기술, 저전력 FD-SOI(완전공핍형 실리콘 온 인슐레이터) 등을 선보였다.
정은승 삼성전자 파운드리사업부 사장은 기조연설에서 "삼성전자는 반도체 불모지에서 사업을 시작해 역경을 딛고 업계 1위에 오른 경험이 있다"면서 "파운드리 분야의 최고를 향한 여정도 쉽지 않겠지만 난관을 헤치고 함께 성장해 나갈 수 있게 관심과 응원을 부탁드린다"고 말했다.
이어 "국내 팹리스 기업들이 신시장을 비롯한 다양한 분야에서 활약할 수 있도록 디자인 서비스, 제조, 패키지 등 개발부터 양산까지 협력 생태계를 활성화해 시스템 반도체 산업 발전에 기여하겠다"고 했다.
이장규 텔레칩스(팹리스 업체) 대표는 "올해 스무살이 된 텔레칩스는 삼성의 파운드리 기술 발전과 함께 성장해 왔다고 해도 과언이 아니다"면서 "시장 경쟁력을 더욱 높이기 위해 현재 협력 중인 14나노에 이어 10나노 이하의 미세공정에서도 탄탄한 협력을 이어갈 계획"이라고 말했다.
삼성전자는 국내 팹리스 기업에게 7나노 이하 EUV 기반 초미세 공정도 제공해 차세대 첨단 제품 개발을 지원하고 국내 시스템 반도체 산업의 경쟁력 확보에도 기여한다는 방침이다.
팹리스 고객이 삼성의 파운드리 공정 기술과 서비스를 보다 쉽게 활용할 수 있도록 반도체 디자인하우스를 비롯해 설계자산(IP), 자동화 설계 툴(EDA), 조립테스트(OSAT)까지 국내 파운드리 파트너와 협력도 확대한다.
삼성전자는 지난 4월 저전력 28나노 FD-SOI 공정 기반 eMRAM 솔루션 제품과 EUV 노광 기술을 적용해 성능과 수율을 높인 7나노 핀펫 제품을 출하하고 차세대 5나노 공정 개발을 공개하는 등 파운드리 기술을 선도하고 있다.
특히 전류가 흐르는 통로인 원통형 채널 전체를 게이트가 둘러싸 전류의 흐름을 더 세밀하게 제어할 수 있는 차세대 트랜지스터 구조의 3나노 GAE(3나노 Gate-All-Around Early) 공정 설계 키트(PDK v0.1)를 팹리스 고객에게 배포하기도 했다.
KPI뉴스 / 오다인 기자 odi@kpinews.kr
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