내년 하반기 가동 목표…"5나노미터 이하 공정 칩 주력 생산"
'반도체 비전 2030' 시스템반도체 1위 세부전략 실행 기반 삼성전자가 경기도 기흥·화성에 이어 평택사업장에 극자외선(EUV) 노광 공정 기반의 첨단 반도체 파운드리(위탁생산) 생산시설을 구축한다.
평택에 구축될 생산시설에서 모바일, 고성능컴퓨팅(HPC), 인공지능(AI) 등 분야에 필요한 EUV 공정 기반 초미세 반도체 칩을 주로 만들 계획이다.
삼성전자는 올해 2월 EUV 전용 생산시설 화성 'V1 라인' 가동에 이어 평택까지 파운드리 라인을 구축해 초미세 공정 기술 적용 범위를 넓힌다고 21일 밝혔다.
삼성전자는 내년 하반기 본격 가동을 목표로 이달 평택 EUV 파운드리 생산라인 공사에 착수했다. 평택 EUV 파운드리 생산라인은 반도체 회로 선폭이 5나노미터(㎚) 이하인 초미세 공정 반도체 생산에 주력한다.
삼성전자는 세계 파운드리 시장이 이런 초미세 공정을 요하는 5세대(5G) 이동통신, HPC, AI, 네트워크 분야 시스템반도체 중심으로 성장할 것이라 보고 있다.
이에 작년 4월 세계 시스템반도체 1위 달성 목표와 함께 발표한 '반도체 비전 2030'의 세부전략 실행 일환으로 초미세 공정 기반 반도체 생산 규모를 확대해 왔다. 작년 화성 'S3 라인'에서 업계 최초로 EUV 기반 7㎚ 칩 양산을 시작했고 올초 EUV 전용인 V1 라인을 가동했다.
삼성전자는 "평택 EUV 파운드리 생산라인이 가동되면 7㎚ 이하 초미세 공정 기반 제품 생산 규모가 더욱 가파르게 증가할 것"이라며 "5㎚ 제품을 올해 하반기 화성에서 먼저 양산한 뒤 평택 라인에서도 주력 생산할 예정"이라고 밝혔다.
정은승 삼성전자 DS부문 파운드리사업부 사장은 "5㎚ 이하 공정 제품 생산 규모를 확대해 EUV 기반 (반도체) 시장 수요 증가에 적극 대응해 나갈 것"이라며 투자와 인력 채용을 통한 지속 성장을 예고했다.
KPI뉴스 / 임민철 기자 imc@kpinews.kr
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