25일 삼성전자는 EUV 공정을 적용해 생산한 1세대 10나노급(1x) DDR4 D램 모듈 100만 개 이상을 글로벌 고객사에 공급해 평가를 완료했다고 밝혔다.
삼성전자는 EUV 공정을 향후 출시할 4세대 10나노급 D램부터 전면 적용하기 위한 양산기술을 개발하고 있으며 5·6세대 D램에도 확대 적용할 계획이다. 삼성은 4세대 D램 양산 기술로 1세대 D램 대비 12인치 웨이퍼당 생산성을 2배로 높일 수 있을 것으로 기대하고 있다.
삼성전자는 향후 차세대 제품의 품질과 수율도 기존 공정 제품 이상으로 향상시킬 예정이다.
삼성전자는 내년 성능과 용량을 더 높인 4세대 10나노급 DDR5·LPDDR5 D램을 양산한다. 이에 맞춰 글로벌 IT고객과 기술협력을 강화하고 표준화 활동을 추진해 차세대시스템에서 신제품 탑재 비중을 높여 나간다.
5세대, 6세대 D램도 선행 개발해 프리미엄 메모리 시장에서 기술 리더십을 더 강화한다.
이정배 삼성전자 메모리사업부 DRAM개발실 부사장은 "업계 최초로 EUV 공정을 D램 양산에 적용해 글로벌 고객들에게 더욱 차별화된 솔루션을 한발 앞서 제공할 수 있게 됐다"며 "내년에도 혁신적인 메모리 기술로 차세대 제품을 선행 개발해 글로벌 IT 시장이 지속적으로 성장하는데 기여할 것"이라고 말했다.
삼성전자는 올해 하반기 경기도 평택 반도체 공장에 신규 라인을 가동해 증가하는 차세대 프리미엄 D램 수요에 대응할 수 있는 양산 체제를 구축할 계획이다.
KPI뉴스 / 임민철 기자 imc@kpinews.kr
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