삼성전자가 세계 최초로 3세대 10나노급 8Gb(기가비트) DDR4(Double Data Rate 4) D램을 개발했다.
DDR4는 D램의 동작 속도를 규정하는 반도체 규격이다. 데이터 처리 속도에 따라 DDR1, 2, 3, 4, 5로 구분하며 숫자가 높을수록 2배씩 빠르다. DDR1이 400Mb/s로 동작하면 DDR2는 800Mb/s로 동작하고, DDR3는 4배, DDR4는 8배, DDR5는 16배 속도로 작동하는 식이다.
삼성전자는 2세대 10나노급 D램을 양산한 지 16개월 만에 3세대 10나노급 8Gb DDR4 D램을 개발, 미세공정의 한계를 또 다시 극복했다는 평가다.
이번에 개발된 D램은 초고가의 EUV(Extreme Ultraviolet·극자외선) 장비를 사용하지 않고도 기존 10나노급 D램보다 생산성을 20% 이상 향상시켰다. 또 속도 증가로 전력 효율까지 개선했다.
삼성전자는 올해 하반기에 3세대 10나노급 D램을 본격 양산할 계획이다. 2020년에는 성능과 용량을 모두 높인 차세대 D램(DDR5, LPDDR5)을 본격적으로 공급해 최첨단 공정 기반의 프리미엄 메모리 기술 리더십을 더욱 강화해 나간다는 목표다.
이와 함께 글로벌 주요 고객들과 차세대 시스템 개발 단계부터 적극 협력해 글로벌 시장을 차세대 라인업으로 빠르게 전환시켜 나갈 예정이다.
이정배 삼성전자 메모리사업부 D램 개발실 부사장은 "미세공정 한계를 극복한 혁신적인 D램 기술 개발로 초고속 초절전 차세대 라인업을 적기에 출시하게 되었다"면서 "향후 프리미엄 D램 라인업을 지속적으로 늘려 글로벌 고객의 차세대 시스템 적기 출시 및 프리미엄 메모리 시장의 빠른 성장세 실현에 기여해 나갈 것"이라고 말했다.
삼성전자는 현재 글로벌 IT 고객의 공급 요구 수준에 맞춰 평택 최신 D램 라인에서 주력 제품의 생산 비중을 지속 확대하고 있다. 특히 2020년 차세대 프리미엄 D램의 수요 확대를 반영한 안정적 양산 체제를 평택에 구축함으로써 초격차 사업 경쟁력을 강화한다는 계획이다.
KPI뉴스 / 오다인 기자 odi@kpinews.kr
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