기존 HBM3 8H 대비 성능·용량 50% 이상 향상
용량 늘었지만 8단과 동일한 높이로 12단 구현
삼성전자가 업계 최대 용량인 36GB(기가바이트) 5세대 HBM(HBM3E) 12단 적층(12H) D램 개발에 성공했다.
삼성전자는 상반기 중으로 제품 양산을 시작, AI 반도체로 주목받는 고용량 HBM 시장 선점에 나선다는 전략이다. 양산에 앞서 HBM3E 12H 제품의 샘플은 이미 고객사들에게 제공 중이다.
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| ▲ HBM3E 12H D램 제품 이미지 [삼성전자 제공] |
27일 삼성전자에 따르면 HBM3E 12H는 24Gb(기가비트) D램 칩을 TSV(실리콘 관통 전극) 기술로 12단까지 적층하는 방식으로 36GB의 용량을 구현했다. 초당 최대 1280GB의 대역폭도 제공, 성능과 용량 모두 전작인 HBM3(4세대 HBM) 8H(8단 적층)보다 50% 이상 개선됐다.
HBM3E 12H가 1024개의 입출력 통로(I/O)로 지원하는 속도는 초당 최대 10Gb에 이른다. 초당 1280GB의 데이터를 처리, 1초에 30GB 용량 UHD 영화 40여편을 업(다운)로드 할 수 있다.
삼성전자는 어드밴스드(Advanced) TC NCF(열압착 비전도성 접착 필름) 기술로 12H 제품을 8H 제품과 동일한 높이로 구현하는데도 성공했다. 용량과 속도는 개선됐지만 제품의 크기는 전작과 달라지지 않았다는 설명이다.
신제품은 NCF 소재 두께도 낮춰 업계 최소 칩간 간격인 '7마이크로미터(um)'도 구현했다.
삼성전자는 "일반적으로 HBM 적층수가 증가하면 칩 두께가 얇아지면서 제품의 휘어짐이 쉽게 발생하는데 어드밴스드 TC NCF 기술을 적용하면 휘어짐 현상을 최소화할 수 있어 고단 적층 확장에 유리하다"고 했다.
삼성전자는 "HBM3E 12H가 데이터 처리량이 급증하는 AI 시대에 기업들에게 최고의 솔루션이 될 것"으로 기대하고 있다.
삼성전자 메모리사업부 상품기획실장 배용철 부사장은 "앞으로 HBM 고단 적층을 위한 기술 개발에 주력하는 등 고용량 HBM 시장을 선도하고 개척해 나갈 것"이라고 밝혔다.
KPI뉴스 / 김윤경 기자 yoon@kpinews.kr
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