SK, 올 4월 수율 개선 발표…기술 검증과 양산 적용 구분해야
삼성전자가 차세대 고대역폭메모리(HBM)에 적용할 하이브리드 본딩 기술 샘플 공급에서 SK하이닉스보다 앞서 있다는 외신 보도가 나왔다. 그러나 SK하이닉스가 지난 4월 관련 기술의 검증과 수율 개선 성과를 공개한 만큼 이번 보도를 기술 개발 실패로 단정하면 안된다.
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| ▲ 삼성전자 HBM4 이미지 [챗지피티 생성] |
'하이브리드 본딩'은 반도체 칩을 여러 층으로 쌓을 때 칩 표면의 구리 연결부와 절연막을 직접 접합해 전기와 데이터가 오가도록 하는 제조 기술이다. D램 칩 사이의 간격을 줄여 메모리 용량을 늘리면서도 전체 두께를 얇게 유지하고 데이터 전달 효율을 높일 수 있다.
8일 일본 기술 전문매체 제노스펙트럼(XenoSpectrum)은 SK하이닉스 미래기술연구소 소속 공정 개발 엔지니어의 인터뷰를 인용한 보도를 소개하며, SK하이닉스가 HBM용 하이브리드 본딩 개발에 기술적 어려움을 겪고 있다고 전했다. 반면 삼성전자는 해당 방식을 적용한 HBM 샘플을 이미 고객사에 공급한 것으로 보도됐다.
이 정보는 미국 실리콘밸리에서 활동하는 반도체 기술 분석 매체 'Damnang Research'가 지난 6일 공개한 인터뷰 자료에서 나왔다. 인터뷰는 지난달 19일 미국 시간 기준으로 약 90분간 진행됐다. 공개된 도입부에는 인터뷰이의 발언이 당시 개인적인 견해이며, 회사의 공식 입장을 대표하지 않는다고 명시돼 있다.
제노스펙트럼은 SK하이닉스가 하이브리드 본딩을 적용한 HBM 샘플 생산을 시작하지 못했다는 주장을 전하면서도, 대상 제품의 세대와 적층 수, 고객사는 확인되지 않았다고 설명했다. 이에 따라 지난달 인터뷰 내용을 현재의 확정된 개발 상황으로 받아들이기에는 한계가 있다고 지적했다.
그런 가운데 국내 보도에서는 SK하이닉스 HBM 기술 개발의 진전이 확인됐다. 김종훈 SK하이닉스 테크니컬 리더는 지난 4월 열린 콘퍼런스에서 HBM용 하이브리드 본딩 수율이 2년 전보다 개선됐다고 발표했다. 그는 12단 HBM의 하이브리드 본딩 검증을 완료하고 양산을 위한 수율 개선을 추진하고 있다고 전했다.
이번 보도에서 언급한 하이브리드 본딩 개발 상황은 HBM4E 제품 개발 전체와도 구분해야 한다. SK하이닉스는 지난 6월 18일 기존 접합 공법을 개선한 '어드밴스드 MR-MUF'를 적용한 12단·48GB HBM4E 샘플을 주요 고객사에 공급했다고 공식 발표했다.
삼성전자도 차세대 접합 기술 개발을 추진하고 있다. 지난 3월 '엔비디아 GTC 2026'에서 하이브리드 구리 본딩(HCB) 기술을 공개하고, 16단 이상 HBM 적층을 지원하면서 기존 열압착 본딩(TCB) 대비 열 저항을 20% 이상 낮출 수 있다고 설명했다. 다만 당시 발표는 기술 공개로, 해당 공법을 적용한 HBM의 양산이나 고객 인증 완료를 밝힌 것은 아니다.
제노스펙트럼은 샘플 공급에서 앞서더라도 실제 양산 경쟁력으로 이어지려면 고객 인증과 수율, 제조 시간, 공급 능력 등을 확인해야 한다고 분석했다. 양사의 기술 격차 역시 동일한 제품 세대와 적층 조건에서 개발 단계를 비교해야 판단할 수 있다는 설명이다.
KPI뉴스 / 양지욱 기자 yjw@kpinews.kr
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