SK하이닉스가 업계 최고속 'HBM2E' D램 개발에 성공했다고 12일 밝혔다.
HBM2E는 기존의 D램보다 데이터 처리 속도를 혁신적으로 끌어올린 HBM(고대역폭 메모리) D램의 차세대 제품이다. TSV(D램 칩에 수천 개의 미세한 구멍을 뚫어 상층과 하층 칩의 구멍을 수직으로 관통하는 전극으로 연결하는 상호연결 기술) 기술을 활용해 이전 규격인 HBM2 대비 처리 속도를 50% 높였다.
HBM2E는 초당 3.6기가비트(Gb) 속도인 1024개의 정보출입구를 통해 초당 460기가바이트(GB)의 데이터 처리가 가능하다. 이는 풀HD급 영화(3.7GB) 124편 분량의 데이터를 1초에 처리할 수 있는 수준이다.
용량은 단일 제품 기준으로 16Gb 칩 8개를 TSV 기술로 수직 연결해 16GB를 구현했다.
HBM2E는 초고속 특성이 필요한 고성능 GPU를 비롯해 머신러닝과 슈퍼컴퓨터, 인공지능(AI) 등 4차 산업에 적합한 고사양 메모리 솔루션이다. HBM은 메모리 칩을 모듈 형태로 만들어 메인보드에 연결하는 통상적인 방식이 아니라 칩 자체를 GPU와 같은 로직 칩에 수십마이크로미터(µm) 간격으로 가깝게 장착시키는 방식이라 더욱 빠른 데이터 처리가 가능하다.
전준현 SK하이닉스 HBM사업전략 담당은 "SK하이닉스는 2013년 세계 최초로 HBM D램을 출시한 이후 지금까지 기술 경쟁력을 바탕으로 시장을 선도해왔다"면서 "HBM2E 시장이 열리는 2020년부터 본격 양산을 개시해 프리미엄 메모리 시장에서의 리더십을 지속적으로 강화하겠다"고 말했다.
KPI뉴스 / 오다인 기자 odi@kpinews.kr
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